Антава

ONSEMI

Транзистор FQD12N20TM

FQD12N20TM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
5.7 A
Pulsed drain current
36 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD12N20TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current5.7 A
Pulsed drain current36 A
Power dissipation55 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.28 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 55W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.