Антава

ONSEMI

Транзистор FQD12N20LTM

FQD12N20LTM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
5.7 A
Рассеиваемая мощность
55 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 967 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%268,69 ₽

Сумма · с НДС 22%268,69 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1268,69 ₽
от 5204,14 ₽
от 10176,91 ₽
от 50126,59 ₽
от 75117,04 ₽
от 100110,72 ₽
от 50084,58 ₽
от 100077,54 ₽
от 250074,12 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD12N20LTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current5.7 A
Рассеиваемая мощность55 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.32 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 55W; DPAK

Документация

Документ производителя