Антава

ONSEMI

Транзистор FQD11P06TM

FQD11P06TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-5.95 A
Рассеиваемая мощность
38 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 2 464 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%307,81 ₽

Сумма · с НДС 22%307,81 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1307,81 ₽
от 5248,09 ₽
от 10210,30 ₽
от 25164,04 ₽
от 50137,68 ₽
от 100119,62 ₽
от 250113,54 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQD11P06TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-5.95 A
Рассеиваемая мощность38 W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.185 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.95A; 38W; DPAK

Документация

Документ производителя