Антава

ONSEMI

Транзистор FQD10N20CTM

FQD10N20CTM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
5A
Power dissipation
50W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQD10N20CTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current5A
Power dissipation50W
КорпусDPAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.36Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK

Документация

Документ производителя