Антава

ONSEMI

Транзистор FQB55N10TM

FQB55N10TM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
38.9A
Power dissipation
155W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQB55N10TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current38.9A
Power dissipation155W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance26mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge98nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 38.9A; 155W; D2PAK

Документация

Документ производителя