Антава

ONSEMI

Транзистор FQB47P06TM-AM002

FQB47P06TM-AM002
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-33.2 A
Рассеиваемая мощность
160 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 575 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%936,16 ₽

Сумма · с НДС 22%936,16 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1936,16 ₽
от 10516,63 ₽
от 25481,82 ₽
от 50458,01 ₽
от 100443,35 ₽
от 250423,20 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQB47P06TM-AM002
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-33.2 A
Рассеиваемая мощность160 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance26 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -33.2A; 160W; D2PAK

Документация

Документ производителя