Антава

ONSEMI

Транзистор FQB44N10TM

FQB44N10TM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
30.8A
Power dissipation
146W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQB44N10TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current30.8A
Power dissipation146W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance39mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30.8A; 146W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.