Антава

ONSEMI

Транзистор FQB34P10TM

FQB34P10TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-23.5 A
Power dissipation
155 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQB34P10TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-23.5 A
Power dissipation155 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge110nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23.5A; 155W; D2PAK

Документация

Документ производителя