Антава

ONSEMI

Транзистор FQB33N10LTM

FQB33N10LTM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
23 A
Pulsed drain current
132 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQB33N10LTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current23 A
Pulsed drain current132 A
Power dissipation127 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 23A; Idm: 132A; 127W; D2PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.