Антава

ONSEMI

Транзистор FQB27P06TM

FQB27P06TM
Type of transistor
P-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60V
Drain current
-19.1A
Power dissipation
120W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQB27P06TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60V
Drain current-19.1A
Power dissipation120W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25V
On-state resistance70mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge43nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -19.1A; 120W; D2PAK

Документация

Документ производителя