Антава

ONSEMI

Транзистор FQB22P10TM

FQB22P10TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-100 V
Drain current
-15.6 A
Power dissipation
125 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQB22P10TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-100 V
Drain current-15.6 A
Power dissipation125 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.125 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge50nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15.6A; 125W; D2PAK

Документация

Документ производителя