Антава

ONSEMI

Транзистор FQB19N20TM

FQB19N20TM
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200 V
Drain current
12.3 A
Pulsed drain current
78 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQB19N20TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200 V
Drain current12.3 A
Pulsed drain current78 A
Power dissipation140 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.3A; Idm: 78A; 140W; D2PAK

Документация

Документ производителя