Антава

ONSEMI

Транзистор FQB19N20CTM

FQB19N20CTM
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
200V
Drain current
12.1A
Pulsed drain current
76A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQB19N20CTM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage200V
Drain current12.1A
Pulsed drain current76A
Power dissipation139W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.17Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12.1A; Idm: 76A; 139W; D2PAK

Документация

Документ производителя