Антава

ONSEMI

Транзистор FQB12P20TM

FQB12P20TM
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
QFET®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-200 V
Drain current
-7.27 A
Power dissipation
120 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQB12P20TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияQFET®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-200 V
Drain current-7.27 A
Power dissipation120 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance470 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.27A; 120W; D2PAK

Документация

Документ производителя