Антава

ONSEMI

Транзистор FQB11P06TM

FQB11P06TM
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
-8.05 A
Pulsed drain current
-45.6 A
Power dissipation
53 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQB11P06TM
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current-8.05 A
Pulsed drain current-45.6 A
Power dissipation53 W
КорпусD2PAK
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance0.175 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.05A; Idm: -45.6A; 53W

Документация

Документы пока не предоставлены.