Антава

ONSEMI

Транзистор FQA90N15-F109

FQA90N15-F109
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
150 V
Drain current
63.5 A
Pulsed drain current
360 A
Power dissipation
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQA90N15-F109
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage150 V
Drain current63.5 A
Pulsed drain current360 A
Power dissipation375 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge285nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 63.5A; Idm: 360A; 375W; TO3PN

Документация

Документы пока не предоставлены.