Антава

ONSEMI

Транзистор FQA8N90C-F109

FQA8N90C-F109
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
900 V
Drain current
5.1 A
Pulsed drain current
32 A
Рассеиваемая мощность
240 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFQA8N90C-F109
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage900 V
Drain current5.1 A
Pulsed drain current32 A
Рассеиваемая мощность240 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.9 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge45nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.1A; Idm: 32A; 240W; TO3PN

Документация

Документы пока не предоставлены.