Антава

ONSEMI

Транзистор FQA8N100C

FQA8N100C
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
5A
Power dissipation
225W
Корпус
TO3PN
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQA8N100C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current5A
Power dissipation225W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.45Ω
МонтажTHT — в отверстия
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 5A; 225W; TO3PN

Документация

Документы пока не предоставлены.