ONSEMI
Транзистор FQA24N60
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- QFET®
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 600 V
- Drain current
- 14.9 A
- Рассеиваемая мощность
- 310 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 25 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 221,96 ₽
Сумма · с НДС 22%1 221,96 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 221,96 ₽ | |
| от 5 | 1 097,38 ₽ | |
| от 10 | 1 057,08 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FQA24N60 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | QFET® |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 600 V |
| Drain current | 14.9 A |
| Рассеиваемая мощность | 310 W |
| Корпус | TO3PN |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.24 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 145nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14.9A; 310W; TO3PN
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.