Антава

ONSEMI

Транзистор FQA140N10

FQA140N10
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
99A
Pulsed drain current
560A
Power dissipation
375W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFQA140N10
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current99A
Pulsed drain current560A
Power dissipation375W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±25V
On-state resistance10mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge285nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 99A; Idm: 560A; 375W; TO3PN

Документация

Документы пока не предоставлены.