Антава

ONSEMI

Транзистор FQA13N80-F109

FQA13N80-F109
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
8 A
Pulsed drain current
50.4 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 149 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%1 286,41 ₽

Сумма · с НДС 22%1 286,41 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 286,41 ₽
от 51 008,06 ₽
от 10857,60 ₽
от 30784,26 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFQA13N80-F109
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current8 A
Pulsed drain current50.4 A
Power dissipation300 W
КорпусTO3PN
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.75 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge88nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN

Документация

Документы пока не предоставлены.