Антава

INFINEON

Транзистор FP10R12W1T7B11BOMA1

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
10 A
Корпус
AG-EASY1B-2
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFP10R12W1T7B11BOMA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current10 A
КорпусAG-EASY1B-2
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current20 A
ТехнологияEasyPIM™ 1B
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A

Документация

Документ производителя