Антава

INFINEON

Транзистор FP100R07N3E4BOSA1

Type of semiconductor module
IGBT
Корпус
AG-ECONO3-3
Application
Inverter
Gate-emitter voltage
±20 V
Power dissipation
335 W
Технология
Field Stop, Trench

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяFP100R07N3E4BOSA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
КорпусAG-ECONO3-3
ApplicationInverter
Gate-emitter voltage±20 V
Power dissipation335 W
ТехнологияField Stop, Trench
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; AG-ECONO3-3; Inverter; 335W; Field Stop,Trench

Документация

Документы пока не предоставлены.