Антава

INFINEON

Транзистор FP06R12W1T4B3BOMA1

FP06R12W1T4B3BOMA1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
IGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
6 A
Корпус
AG-EASY1B-1
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 22 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%6 170,81 ₽

Сумма · с НДС 22%6 170,81 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 16 170,81 ₽
от 105 376,67 ₽
от 245 019,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFP06R12W1T4B3BOMA1
ПроизводительINFINEON
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
TopologyIGBT three-phase bridge, NTC thermistor, three-phase diode bridge
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current6 A
КорпусAG-EASY1B-1
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current12 A
Рассеиваемая мощность94 W
ТехнологияEasyPIM™ 1B
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A

Документация

Документ производителя