Антава

IXYS

Транзистор FMM50-025TF

FMM50-025TF
Type of transistor
N-MOSFET x2
Технология
HiPerFET™, Trench
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
130 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 25 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%4 011,69 ₽

Сумма · с НДС 22%4 011,69 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 14 011,69 ₽
от 33 585,89 ₽
от 103 179,18 ₽
от 252 846,94 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFMM50-025TF
ПроизводительIXYS
Type of transistorN-MOSFET x2
ТехнологияHiPerFET™, Trench
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current30 A
Pulsed drain current130 A
Power dissipation125 W
КорпусISOPLUS i4-pac™ x024a
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance60 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge78nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Semiconductor structuredouble series
Reverse recovery time84ns
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 250V; 30A; Idm: 130A

Документация

Документы пока не предоставлены.