ONSEMI

Транзистор FGY75T120SWD

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2 kV
Collector current: 75 A
Рассеиваемая мощность: 357 W
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FGY75T120SWD
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	1.2 kV
Collector current	75 A
Рассеиваемая мощность	357 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	300 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	214nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 357W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.