Антава

ONSEMI

Транзистор FGY75T120SQDN

FGY75T120SQDN
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
75 A
Рассеиваемая мощность
395 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 351,40 ₽

Сумма · с НДС 22%1 351,40 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 351,40 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGY75T120SQDN
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current75 A
Рассеиваемая мощность395 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge399nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.