ONSEMI

Транзистор FGY60T120SWD

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2 kV
Collector current: 105 A
Power dissipation: 635 W
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FGY60T120SWD
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	1.2 kV
Collector current	105 A
Power dissipation	635 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	240 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	174nC

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 105A; 635W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.