Антава

ONSEMI

Транзистор FGY4L75T120SWD

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
75 A
Power dissipation
326 W
Корпус
TO247-4
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFGY4L75T120SWD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current75 A
Power dissipation326 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge225.6nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 326W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.