Антава

ONSEMI

Транзистор FGY40T120SMD

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Power dissipation
441 W
Корпус
TO247H03
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFGY40T120SMD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Power dissipation441 W
КорпусTO247H03
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.37µC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 441W; TO247H03

Документация

Документы пока не предоставлены.