ONSEMI

Транзистор FGY100T65SCDT

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650 V
Collector current: 100 A
Рассеиваемая мощность: 375 W
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FGY100T65SCDT
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	650 V
Collector current	100 A
Рассеиваемая мощность	375 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±25 V
Pulsed collector current	300 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	157nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 100A; 375W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.