ONSEMI

Транзистор FGY100T120RWD

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2 kV
Collector current: 100 A
Рассеиваемая мощность: 535 W
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	FGY100T120RWD
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	1.2 kV
Collector current	100 A
Рассеиваемая мощность	535 W
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	300 A
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	427nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; 535W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.