Антава

ONSEMI

Транзистор FGHL40T65MQD

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
119 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFGHL40T65MQD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation119 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge86nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 119W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.