ONSEMI
Транзистор FGHL40T120SWD
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 40 A
- Рассеиваемая мощность
- 234 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 205 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 082,91 ₽
Сумма · с НДС 22%1 082,91 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 082,91 ₽ | |
| от 3 | 971,01 ₽ | |
| от 10 | 781,50 ₽ | |
| от 30 | 624,48 ₽ | |
| от 60 | 557,70 ₽ | |
| от 120 | 537,85 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FGHL40T120SWD |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 234 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 160 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 118nC |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 234W; TO247-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.