ONSEMI
Транзистор FGH75T65UPD
Фото уточняется
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650V
- Collector current
- 75A
- Power dissipation
- 187W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | FGH75T65UPD |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Collector current | 75A |
| Power dissipation | 187W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 225A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 385nC |
| Kind of package | tube |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 75A; 187W; TO247-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.