Антава

ONSEMI

Транзистор FGH60N60SMD

FGH60N60SMD
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600V
Collector current
60A
Power dissipation
300W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFGH60N60SMD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600V
Collector current60A
Power dissipation300W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current180A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge284nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 60A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя