Антава

ONSEMI

Транзистор FGH50T65UPD

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
170 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 45 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 463,78 ₽

Сумма · с НДС 22%1 463,78 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 463,78 ₽
от 31 317,22 ₽
от 101 068,07 ₽
от 30972,80 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGH50T65UPD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность170 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 170W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.