Антава

ONSEMI

Транзистор FGH50T65SQD-F155

FGH50T65SQD-F155
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
50 A
Рассеиваемая мощность
134 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 298 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 008,41 ₽

Сумма · с НДС 22%1 008,41 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 008,41 ₽
от 3899,70 ₽
от 10731,01 ₽
от 30586,68 ₽
от 60537,95 ₽
от 120526,70 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGH50T65SQD-F155
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current50 A
Рассеиваемая мощность134 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge99nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 50A; 134W; TO247-3

Документация

Документ производителя