Антава

ONSEMI

Транзистор FGH40T120SQDNL4

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
227 W
Корпус
TO247-4
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFGH40T120SQDNL4
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность227 W
КорпусTO247-4
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge221nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 227W; TO247-4

Документация

Документы пока не предоставлены.