Антава

ONSEMI

Транзистор FGH40T120SMD

FGH40T120SMD
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
277 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 142 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 408,42 ₽

Сумма · с НДС 22%1 408,42 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 408,42 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGH40T120SMD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность277 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.37µC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3

Документация

Документ производителя