Антава

ONSEMI

Транзистор FGH40N60SMD

FGH40N60SMD
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
40 A
Power dissipation
174 W
Корпус
TO247-3
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяFGH40N60SMD
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current40 A
Power dissipation174 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge180nC
Kind of packagetube
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3

Документация

Документ производителя