ONSEMI
Транзистор FGH40N60SFDTU
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 40 A
- Power dissipation
- 116 W
- Корпус
- TO247-3
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 26 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%807,38 ₽
Сумма · с НДС 22%807,38 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 807,38 ₽ | |
| от 3 | 714,95 ₽ | |
| от 10 | 541,40 ₽ | |
| от 30 | 518,76 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FGH40N60SFDTU |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 40 A |
| Power dissipation | 116 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 0.12µC |
| Kind of package | tube |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.