Антава

ONSEMI

Транзистор FGD5T120SH

FGD5T120SH
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
5 A
Рассеиваемая мощность
28 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±25 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 656 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%424,73 ₽

Сумма · с НДС 22%424,73 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1424,73 ₽
от 10272,12 ₽
от 100189,38 ₽
от 250180,19 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGD5T120SH
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current5 A
Рассеиваемая мощность28 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±25 V
Pulsed collector current12.5 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.7nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 5A; 28W; DPAK; Features: logic level; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.