Антава

ONSEMI

Транзистор FGD3440G2-F085

FGD3440G2-F085
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
400 V
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
166 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFGD3440G2-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage400 V
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность166 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge24nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 400V; 25A; 166W; DPAK; Features: logic level; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.