Антава

ONSEMI

Транзистор FGD3245G2-F085C

FGD3245G2-F085C
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
450 V
Collector current
23 A
Power dissipation
150 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFGD3245G2-F085C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage450 V
Collector current23 A
Power dissipation150 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.