ONSEMI
Транзистор FGD3245G2-F085
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 450 V
- Collector current
- 23 A
- Power dissipation
- 150 W
- Корпус
- DPAK
- Gate-emitter voltage
- ±10 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 2 124 шт.
Цена и наличие обновляются Данные на
Последняя цена / шт. · с НДС 22%668,30 ₽
Сумма · с НДС 22%668,30 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 668,30 ₽ | |
| от 5 | 528,91 ₽ | |
| от 10 | 462,08 ₽ | |
| от 25 | 381,88 ₽ | |
| от 50 | 332,24 ₽ | |
| от 100 | 297,87 ₽ | |
| от 500 | 282,59 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FGD3245G2-F085 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 450 V |
| Collector current | 23 A |
| Power dissipation | 150 W |
| Корпус | DPAK |
| Gate-emitter voltage | ±10 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 23nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Application | ignition systems |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 450V; 23A; 150W; DPAK; Features: logic level; ESD
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.