ONSEMI
Транзистор FGB40T65SPD-F085
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 650 V
- Collector current
- 40 A
- Power dissipation
- 134 W
- Корпус
- D2PAK
- Gate-emitter voltage
- ±20 V
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 712 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%1 116,90 ₽
Сумма · с НДС 22%1 116,90 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 1 116,90 ₽ | |
| от 5 | 955,44 ₽ | |
| от 10 | 862,37 ₽ | |
| от 25 | 735,10 ₽ | |
| от 100 | 670,52 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | FGB40T65SPD-F085 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 650 V |
| Collector current | 40 A |
| Power dissipation | 134 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-emitter voltage | ±20 V |
| Pulsed collector current | 120 A |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 36nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Application | ignition systems |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.