Антава

ONSEMI

Транзистор FGB40T65SPD-F085

FGB40T65SPD-F085
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Power dissipation
134 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±20 V

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 712 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 116,90 ₽

Сумма · с НДС 22%1 116,90 ₽

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 116,90 ₽
от 5955,44 ₽
от 10862,37 ₽
от 25735,10 ₽
от 100670,52 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGB40T65SPD-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Power dissipation134 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge36nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; D2PAK; Features: logic level

Документация

Документы пока не предоставлены.