ONSEMI
Транзистор FGB3245G2-F085
- Type of transistor
- IGBT
- Collector-emitter voltage
- 450 V
- Collector current
- 27 A
- Рассеиваемая мощность
- 150 W
- Корпус
- D2PAK
- Gate-emitter voltage
- ±10 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | FGB3245G2-F085 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | IGBT |
| Collector-emitter voltage | 450 V |
| Collector current | 27 A |
| Рассеиваемая мощность | 150 W |
| Корпус | D2PAK |
| Gate-emitter voltage | ±10 V |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 23nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Features of semiconductor devices | logic level |
| Application | ignition systems |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 450V; 27A; 150W; D2PAK; Features: logic level
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.