Антава

ONSEMI

Транзистор FGB3040G2-F085C

FGB3040G2-F085C
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
400 V
Collector current
25.6 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяFGB3040G2-F085C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage400 V
Collector current25.6 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level

Документация

Документы пока не предоставлены.