Антава

ONSEMI

Транзистор FGB3040G2-F085

FGB3040G2-F085
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
400 V
Collector current
25.6 A
Рассеиваемая мощность
150 W
Корпус
D2PAK
Gate-emitter voltage
±10 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 697 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%738,50 ₽

Сумма · с НДС 22%738,50 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1738,50 ₽
от 10528,57 ₽
от 100489,21 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяFGB3040G2-F085
ПроизводительONSEMI
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage400 V
Collector current25.6 A
Рассеиваемая мощность150 W
КорпусD2PAK
Gate-emitter voltage±10 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge21nC
Kind of packagereel, tape
Features of semiconductor deviceslogic level
Applicationignition systems
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 400V; 25.6A; 150W; D2PAK; Features: logic level

Документация

Документы пока не предоставлены.